Semi-conducteurs. Page 115 sur 485. Avtronic

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Affichage 21 articles: BUZ305 à BY1800-DIO (Page 115 sur 485)

Transistor BUZ305

35.11€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor BUZ305 N-MOS 800V 7.5A 150W <1R(5A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: INF. Boîtier: TO-218AA. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5 A. Rds (Ohms): 1. Puissance: 150 W

Tarifs dégressifs

Transistor BUZ34

32.09€ TTC

1 En stock

Transistor BUZ34 N-MOS 200V 14A 78W <0.2R (9A). V-MOS L.. MOS-N-FET. Constructeur: PHI. Boîtier: 100/310nS. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 14 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 9 A. Rds (Ohms): 0.2. Puissance: 78 W

Tarifs dégressifs

Transistor BUZ41A

11.87€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 500V 4.5A 75W <1.5R(3A). Boîtier: 100/260nS. Vds(max): 500V. Id(@25ºC): 4.5A. Puissance: 75W. Id(T=100): 3A. Résistance Rds: 1.5. Fréquence de l´horlogenction: V-MOS L..

Tarifs dégressifs

Transistor BUZ74

4.54€ TTC

4 En stock

Transistor BUZ74 N-MOS 500V 2.4A 40W <3R(1.5A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: INF. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.4 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.5 A. Rds (Ohms): 3. Puissance: 40 W

Tarifs dégressifs

Transistor BUZ76

4.48€ TTC

2 En stock

Transistor BUZ76 N-MOS 400V 3A 40W <1.8R(2A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: INF. Boîtier: <57/115nS. Tension de Drain maxi: 400 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2 A. Rds (Ohms): 1.8. Puissance: 40 W

Tarifs dégressifs

Transistor BUZ77A

5.99€ TTC

3 En stock

Transistor BUZ77A N-MOS 600V 2.7A 75W <4R(1.7A). V-MOS. <50/105nS. Constructeur: INF. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.7 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.7 A. Rds (Ohms): 4. Puissance: 75 W

Tarifs dégressifs

Transistor BUZ77B

6.27€ TTC

6 En stock

Transistor BUZ77B N-MOS 600V 2.9A 75W<3.5R(1.7A). V-MOS. MOS-N-FET. Boîtier: <50/105nS. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.9 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.7 A. Rds (Ohms): 3.5. Puissance: 75 W

Tarifs dégressifs

Transistor BUZ80

13.44€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor BUZ80 N-MOS 800V 6.1A 100W <4R(2A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IEC. Boîtier: SMPS. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2 A. Rds (Ohms): 4. Puissance: 100 W

Tarifs dégressifs

Transistor BUZ80-SIE

9.02€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor BUZ80-SIE N-MOS 800V 6.1A 100W <4R(2A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: SIE. SMPS. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2 A. Rds (Ohms): 4. Puissance: 100 W

Tarifs dégressifs

Transistor BUZ83

9.74€ TTC

4 En stock

Transistor BUZ83 N-MOS 800V 3.2A 78W <100/220nS. V-MOS. Constructeur: PHI. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.2 A. Puissance: 78 W

Tarifs dégressifs

Transistor BUZ90

5.15€ TTC

28 En stock

Transistor BUZ90 N-MOS 600V 4.5A 75W <1.6R(2.8A. V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: PMC. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.8 A. Rds (Ohms): 1.6. Puissance: 75 W

Tarifs dégressifs

Transistor BUZ906

58.07€ TTC

1 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -200V. Courant de drain maxi: -8A. Puissance: 125W. Paire: BUZ901. Boîtier: TO3.

Tarifs dégressifs

Transistor BUZ90A

5.66€ TTC

59 En stock

Transistor BUZ90A N-MOS 600V 4A 75W <2R(2.8A). TO-220AB. MOS-N-FET. Constructeur: PMC. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.8 A. Rds (Ohms): 2. Puissance: 75 W

Tarifs dégressifs

Transistor BUZ90AF

5.38€ TTC

52 En stock

Transistor BUZ90AF N-MOS 600V 4A 35W <2R(2.8A). TO-220F. MOS-N-FET. Constructeur: SIE. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.8 A. Rds (Ohms): 2. Puissance: 35 W

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N BUZ91

5.32€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor MOSFET canal-N 600V 8.5A 150W. Résistance passante RDSon : 0.8 Ohms (5A)

Tarifs dégressifs

Transistor BUZ91A

5.66€ TTC

11 En stock

Transistor BUZ91A N-MOS 600V 8A 150W <0.9R(5A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: PMC. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5 A. Rds (Ohms): 0.9. Puissance: 150 W

Tarifs dégressifs

Transistor BUZ91A-INF

6.33€ TTC

9 En stock

Transistor BUZ91A-INF N-MOS 600V 8A 150W <0.9R(5A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: INF. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5 A. Rds (Ohms): 0.9. Puissance: 150 W

Tarifs dégressifs

Circuit intégré BX1387

57.46€ TTC

2 En stock

Circuit intégré BX1387. HYBRID IC. Constructeur: PANASONIC/MATSUSHITA.

Tarifs dégressifs

Diode BY133

0.22€ TTC

3093 En stock

Diode silicium 1300V 1A. Boîtier: DO-41.

Quantité minimum: 10

Tarifs dégressifs

Diode BY16

10.30€ TTC

840 En stock

Diode 16000V 0.3A/30App

Tarifs dégressifs

Diode BY1800-DIO

0.95€ TTC

11 En stock

Diode 1800V 3A/100Ap. Trr: 3us

Tarifs dégressifs

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Transistor BUZ305

Transistor BUZ305 N-MOS 800V 7.5A 150W <1R(5A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: INF. Boîtier: TO-218AA. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5 A. Rds (Ohms): 1. Puissance: 150 W

Transistor BUZ34

Transistor BUZ34 N-MOS 200V 14A 78W <0.2R (9A). V-MOS L.. MOS-N-FET. Constructeur: PHI. Boîtier: 100/310nS. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 14 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 9 A. Rds (Ohms): 0.2. Puissance: 78 W

Transistor BUZ41A

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 500V 4.5A 75W <1.5R(3A). Boîtier: 100/260nS. Vds(max): 500V. Id(@25ºC): 4.5A. Puissance: 75W. Id(T=100): 3A. Résistance Rds: 1.5. Fréquence de l´horlogenction: V-MOS L..

Transistor BUZ74

Transistor BUZ74 N-MOS 500V 2.4A 40W <3R(1.5A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: INF. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.4 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.5 A. Rds (Ohms): 3. Puissance: 40 W

Transistor BUZ76

Transistor BUZ76 N-MOS 400V 3A 40W <1.8R(2A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: INF. Boîtier: <57/115nS. Tension de Drain maxi: 400 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2 A. Rds (Ohms): 1.8. Puissance: 40 W

Transistor BUZ77A

Transistor BUZ77A N-MOS 600V 2.7A 75W <4R(1.7A). V-MOS. <50/105nS. Constructeur: INF. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.7 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.7 A. Rds (Ohms): 4. Puissance: 75 W

Transistor BUZ77B

Transistor BUZ77B N-MOS 600V 2.9A 75W<3.5R(1.7A). V-MOS. MOS-N-FET. Boîtier: <50/105nS. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.9 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.7 A. Rds (Ohms): 3.5. Puissance: 75 W

Transistor BUZ80

Transistor BUZ80 N-MOS 800V 6.1A 100W <4R(2A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IEC. Boîtier: SMPS. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2 A. Rds (Ohms): 4. Puissance: 100 W

Transistor BUZ80-SIE

Transistor BUZ80-SIE N-MOS 800V 6.1A 100W <4R(2A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: SIE. SMPS. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2 A. Rds (Ohms): 4. Puissance: 100 W

Transistor BUZ83

Transistor BUZ83 N-MOS 800V 3.2A 78W <100/220nS. V-MOS. Constructeur: PHI. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.2 A. Puissance: 78 W

Transistor BUZ90

Transistor BUZ90 N-MOS 600V 4.5A 75W <1.6R(2.8A. V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: PMC. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.8 A. Rds (Ohms): 1.6. Puissance: 75 W

Transistor BUZ906

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -200V. Courant de drain maxi: -8A. Puissance: 125W. Paire: BUZ901. Boîtier: TO3.

Transistor BUZ90A

Transistor BUZ90A N-MOS 600V 4A 75W <2R(2.8A). TO-220AB. MOS-N-FET. Constructeur: PMC. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.8 A. Rds (Ohms): 2. Puissance: 75 W

Transistor BUZ90AF

Transistor BUZ90AF N-MOS 600V 4A 35W <2R(2.8A). TO-220F. MOS-N-FET. Constructeur: SIE. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.8 A. Rds (Ohms): 2. Puissance: 35 W

Transistor MOSFET canal-N BUZ91

Transistor MOSFET canal-N 600V 8.5A 150W. Résistance passante RDSon : 0.8 Ohms (5A)

Transistor BUZ91A

Transistor BUZ91A N-MOS 600V 8A 150W <0.9R(5A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: PMC. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5 A. Rds (Ohms): 0.9. Puissance: 150 W

Transistor BUZ91A-INF

Transistor BUZ91A-INF N-MOS 600V 8A 150W <0.9R(5A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: INF. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5 A. Rds (Ohms): 0.9. Puissance: 150 W

Circuit intégré BX1387

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Diode BY133

Diode silicium 1300V 1A. Boîtier: DO-41.

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